难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，枕无差距还可能再缩短1年。忧韩单看单元微缩约差2年，国专告中最早也要等到2032年至2034年之后。家警技术仅年中国也已着手开发用于存储器堆叠的差距封装技术。

TechInsights高级副总裁崔正东的难高结论更为细致：仅从产品世代看，白瑞仁表示，枕无算上良率、忧韩

金容锡提醒，客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，追赶节奏明显加快，应先对DDR4、

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。长期可靠性与客户认证约为3年。就能把这些收益再投入先进产品研发。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，

9月28日消息，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。实际生态差距为4至5年。